存储涨价潮持续，自主扩产还是寻求代工？
21世纪经济报道记者 孙燕
“AI驱动下的数据存储需求增长仍在持续影响存储价格，头部云服务商向存储原厂抛出巨额采购订单，加剧原厂将有限的产能向服务器存储倾斜，非服务器市场面临供应紧缺。”12月23日，德明利（001309.SZ）在特定对象调研时表示。
今年以来，存储芯片供需关系持续偏紧，并在第三季度后加剧，推动NAND Flash、DDR4/DDR5等产品价格快速上涨。
图片来源于网络，如有侵权，请联系删除
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其中，2025年三季度起，主要厂商发起新一轮涨价：三星计划将部分DRAM价格上调15%-30%；美光科技在9月暂停报价后，恢复报价的新价格普遍上涨约20%。
紫光计算机科技有限公司产品中心总经理潘睿在接受21世纪经济报道等媒体采访时表示，这一波存储涨价，与产业链周期、AI需求双重重叠，两者共同导致存储市场价格的异常波动。
不同于存储行业传统的“供需博弈”周期逻辑，AI浪潮之下，业界正形成“AI应用浪潮-产能聚焦高端-技术演进提速-价格结构攀升”的全新逻辑。
存储原厂转向AI存储，传统存储供需结构性失衡
2024年起，三星、SK海力士、美光三大存储原厂将产能大规模转向高密度和高性能产品。
其标志性事件是，美光在2024年11月宣布，将调整其消费级市场的业务策略。虽然计划持续通过消费渠道供货至2026年初，但将对运营近30年的Crucial（英睿达）品牌进行战略性收缩。该品牌产品包括NVMe固态硬盘、外置存储设备，以及DDR4和DDR5内存条等PC用户常用的升级部件。
2025年，HBM（高带宽内存）与DDR5/LPDDR5等高端产能的排他性扩张达到了前所未有的程度。
存储原厂一边建设新工厂，以美光为例，其位于爱达荷州博伊西和日本广岛的尖端晶圆厂进入设备搬入及试产阶段，重点布局1γDRAM及HBM4等先进产能；另一边也启动了产线改造工程，如SK海力士将M16X厂区的部分洁净室转用于HBM生产，三星也着手将部分传统DRAM产线改造转换为HBM专用产能，以快速提升HBM的出货比重。
与之形成鲜明对比的是，DDR4/LPDDR4等传统制程的产能收缩。三大存储原厂已明确停止对DDR4的资本投入和技术迭代，并计划在2025-2026年间大幅缩减DDR4的产能比重，将战略重心全面转向DDR5及HBM。
一位存储厂商负责人告诉21世纪经济报道记者，晶圆厂产线所能同时兼容和高效制造的技术节点跨度是有限的，为了保持最高的生产效率和良率，大厂通常会集中资源专注于最主流的3-4代技术节点。
随之，低密度、成熟制程存储产品在2025年陷入了供给侧危机，价格迎来暴涨行情。根据Counterpoint Research数据，今年以来内存价格已累计上涨约 50%，并预计在第四季度再上涨30%，且涨势可能延续至2026年初。
CFM闪存市场预计，2026年一季度将延续上行趋势，MobileeMMC/UFS涨幅将达25%-30%，LPDDR4X/5X涨幅或达30%-35%；PC端DDR5/LPDDR5X涨幅将达30%-35%，cSSD上涨25%-30%。
“至少在明年上半年，甚至明年一年，我们还看不到存储大规模回调，回到今年Q2、Q3水平的可能性。”潘睿指出。
扩产还是代工？
国际存储原厂的主动放弃，为国内存储大厂创造了市场空间。但受过往周期影响，主要原厂维持审慎的产能扩张策略。
12月23日，德明利（001309.SZ）在特定对象调研时表示，目前原厂主要通过调整、升级现有产线的方式，向高价值产品倾斜。考虑到产能建设存在一定的周期滞后效应，且新产能达产后仍需一定周期实现满产及稳定供给，短期内行业产能提升将较为有限。
“在与存储供应商的沟通中，我们注意到对方的态度非常谨慎。”潘睿指出，这是受过去行业周期波动的心理影响：历史上，每当市场价格高涨时供应商便增加产能，但待产能释放（约两年后）市场需求往往已回落，导致厂商遭受严重亏损。
基于前车之鉴，目前供应商即使面对DDR5内存增产的常规需求，其扩产决策也较为保守。事实上，像DDR5这样成熟的产线增产，其从决策到产能落地的实际周期也在12个月以上，绝非短期内（如3-5个月）能够完成的。
也有存储厂商开启了扩产计划，如德明利11月底披露定向增发预案，拟募资用于固态硬盘（SSD）扩产项目、内存产品（DRAM）扩产项目等。其中，内存产品（DRAM）扩产项目将推进涵盖 DDR4、DDR5技术代际的RDIMM、UDIMM等类型内存产品的产能提升。
谨慎扩产之下，下游需求推动了存储代工产能需求的水涨船高。
11月17日，中芯国际在投资者关系活动记录表中表示，该公司承接了大量存储包括NOR/NAND Flash等急单。“当前AI产业占据了大量产能，导致主流供应商逐步退出碎片化、少量多样的细分市场。这一转变给众多中小规模供应商带来重要机遇，而他们中许多正是我们的客户。”
前述存储厂商负责人告诉记者，国内逻辑芯片代工产能充裕，为存储制造提供了显著的协同优势。目前，NOR Flash和2D NAND不仅常与28-40nm逻辑产线共线，更通过高度标准化的工艺平台，实现了产线的动态切换。在此架构下，90%的基台设备可直接复用，仅需新增10%的专用机台，便能快速切入3D NAND代工领域，大幅提升了存量产能的利用率。
广发证券进一步指出，在3D NAND方面，国内的Xtacking技术和海外的BiCS技术，已经实现了3D NAND中存储阵列和逻辑电路的分立加工和集成的技术应用，并且在产品性能上表现优异。在DRAM方面，未来DRAM芯片也有望借助CBA技术实现架构升级，CBA技术将存储阵列晶圆和逻辑控制单元晶圆分开制造，并在制造完成后通过熔融键合或混合键合等工艺将两片晶圆键合在一起，以实现系统整体的更优性能。
此外，江波龙等厂商的TCM（技术合约制造）模式，也为存储厂商提供了代工路径。在12月中旬的投资者关系活动中，江波龙透露，在存储价格上行阶段，TCM模式的客户接受度将明显提升，目前TCM模式的导入工作正加速进行，并有望在更多原厂和Tier1客户的合作上持续取得突破。
“逻辑晶圆有望走向代工模式，借助最适工艺实现产业协同发展。”广发证券指出，在存储技术朝存储-逻辑双晶圆堆叠进行架构升级的过程中，逻辑晶圆的制造可望在原本IDM模式基础上，导入代工模式，这可使逻辑晶圆采用与存储晶圆不同的制程和工艺技术，并借助逻辑代工产业中的HKMG、FinFET等技术，进一步优化系统级性能。未来，国内也有望依托丰富的逻辑代工资源，实现存储IDM和逻辑代工的产业协同发展。
