存储芯片涨价“风暴” 超级周期站上起点

21世纪经济报道记者 吴佳楠 深圳报道

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9月以来，向来以波动剧烈著称的存储芯片行业，涨声四起。

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在经过一个多月的发酵之后，热度不降反增。

市场上有消息称，目前部分Dram和Flash产品已停止报价，或者“一天一个价”。社交媒体上更是有人直呼，“比黄金涨得更猛的是内存条”。就连小米集团创始人雷军在10月24日也在微博上直言“最近内存涨价实在太多”。

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受此刺激，A股存储芯片概念也随之一路高歌猛进。

近3个月，Wind数据显示，存储器指数已上涨59.42%。其中，

• 江波龙（301308.SZ）累计上涨210.89%，总市值达1186亿元，市盈率（PE）181倍；
• 德明利上涨160.95%，总市值513亿元，该公司上半年亏损；
• 普冉股份（688766.SH）涨超110%，总市值202亿元，PE 102倍；
• 东芯股份（688110.SH）涨超110%，总市值428亿元，该公司近两年亏损。
• 香农芯创（300475.SZ）涨超275%，总市值596亿元，PE 230倍。

市场普遍认为，此轮涨价的核心驱动力在于全球科技巨头对AI算力需求的持续旺盛，让HBM（高宽带内存）这一AI芯片模块的主存储器产品供不应求。

同时，各大终端厂商在下半年集中推出新品刺激产能，共同推动存储芯片行业加速迈入“超级周期”。 

摩根士丹利研报指出，AI驱动下存储行业供需失衡加剧，预计将开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进。 

“超级周期”启动

研究机构CFM数据显示，仅在2025年上半年，DRAM（动态随机存取存储器）综合价格指数就大幅上涨了47.7%，NAND Flash（闪存芯片）综合价格指数上涨了9.2%。进入10月份以来，512Gb Flash Wafer（闪存晶圆）的价格累计涨幅超过了20%。

但与以往周期性涨价不同，本轮存储芯片涨价潮被一些业内人士视为“超级周期”的启动。

一方面，AI技术的快速发展被认为是这一结构性转变的核心驱动力。AI的发展不仅带来海量的算力GPU需求，对于存储需求也逐步提升。摩根士丹利报告显示，AI的蓬勃发展正引发一场“存储超级循环”。 

今年全球科技巨头在AI基础设施上的投入，直接推动了存储芯片的海量需求，最大受益者就是HBM市场。HBM是AI芯片模块的主存储器，英伟达、亚马逊、谷歌和AMD（超威）这四家自主研发AI芯片的公司占据了HBM需求的95%，国内包括阿里巴巴、百度、字节跳动、腾讯等科技巨头也在大力增加资本支出规模加码AI投入，主要投入算力芯片和数据中心建设。 

“预计到明年第三季度之前，其价格仍将保持上涨趋势。”一位业内人士向21世纪经济报道记者表示，HBM代表了当前存储领域中的最高规格，集成了最先进的制造工艺、设备和材料，原厂会通过调控产能来维持HBM供需平衡，同时终端客户也普遍愿意接受HBM的高定价，且HBM产能与市场需求之间存在缺口。

另一方面，当AI快速向终端侧延伸，进入下半年，各大厂商集中推出手机、PC、AI眼镜等智能终端设备新品，进一步刺激对大容量、高性能存储的需求。

但是，需求增加的同时，上游供给端却在收缩。据TrendForce集邦咨询10月最新报告，受NAND Flash需求疲软、价格压力等因素影响，美光、三星、SK海力士等海外原厂已启动相关减产计划。

此外，自去年三季度，AI需求的爆发，让存储芯片厂商将产能从部分利润率偏低的传统DRAM产能转至DDR5、HBM等更高利润、高附加值的产品。三大DRAM制造商巨头之一的SK海力士预计，到2026年，HBM晶圆加工量将占其所有产品晶圆加工量的最大比重。 

由此，DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品存在产能短缺问题。TechInsights的10月统计数据显示，第三季DRAM平均库存降至8周，低于去年同期的10周与2023年初的31周，市场供应快速吃紧。

业内人士表示，随着供需天平逐渐失衡，DDR4、LPDDR4X价格自二季度起开启涨价潮，并将延续至今年年底。 

据TrendForce预计，由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，同时受各终端产品需求分化影响，今年四季度旧制程DRAM价格涨幅将依旧可观，预计整体价格将环比增长8%~13%，HBM价格环比增长13%~18%。

存储股价飙涨

DRAM是一个巨头垄断的市场。三星、SK海力士、美光等国际存储巨头垄断超90%产能的DRAM市场格局，在这轮由AI开启的“超级新周期”中开始出现微妙变化。

存储巨头将主要产能和研发重心转向利润更丰厚的HBM等高端产品，并相继宣布减产时，国内存储厂商正迎来新机遇，快速占领市场份额，尤其是利基型产品端的国产替代。

A股市场反应热烈，正是受此轮“超级周期”的强烈刺激。

Wind数据显示，存储器指数近一周区间涨跌幅为11.84%，区间上涨天数为2天。近一周以来，存储器指数成分股中，江波龙（42.21%）、普冉股份（28.05%）、大为股份（33.55%）累计涨幅居前。

目前，国内厂商正加速拥抱AI，有的聚焦HBM、DDR5等高附加值领域。比如，

• 赛腾股份（603283.SH）通过收购日本Optima，掌握HBM全制程量测技术，近三个月股价涨超45%。也有专注特定细分市场的存储产品，切入利基型DRAM领域，针对容量和速率要求不高的车规，工业市场，提供DDR3/4产品。
• 被认为是国内“存储一哥”的兆易创新（603986.SH）逐步从低端NOR Flash产品拓展到NAND Flash和全线利基型DRAM产品，并向MCU（微控制单元）延伸，目前MCU在消费电子、新能源汽车等领域均有应用。近两个月股价走出“脉冲式”增长，截至10月28日收盘，已增长至246.95元/股，突破历史最高值。

国元证券研究认为，长鑫产能的持续释放，进一步带动公司三季度在Dram业务上的出货，而市场利基型DDR的需求保持旺盛，四季度仍具有一定的价格上升空间。

• 公司市值在近期大涨中突破1000亿的江波龙，最近也有新品发布动态，发布了与HBM应用互补的创新内存SOCAMM2产品，能显著降低AI的推理延迟。企业前三季度财报同样表现乐观，营业收入同比增长26.12%，归属于上市公司股东的净利润同比增长27.95%。

除了A股市场的股价狂涨和业绩超预期，长鑫科技、长江存储这两家正在打开资本市场大门的公司也给市场带来想象空间，近期正在稳步推进产能或发布新品。

• 长江存储将重点推进3D NAND芯片产能爬坡，力争到2026年占据全球NAND闪存市场15.00%的份额，其自主研发的Xtacking架构已实现232层以上堆叠3D NAND Flash量产，产能设备国产化率达45%，并计划启动全国产化设备产线试生产。 
• 长鑫科技子公司长鑫存储近期宣布已量产高端移动存储芯片LPDDR5X产品，覆盖最高达10667Mbps速率，这一速率与SK海力士去年10月量产的同规格产品完全对标，已达到业界先进水平，也是国内首次技术突破。

一位关注存储芯片的行业分析师向记者表示，涨价潮对国际原厂巨头来说是技术溢价的机遇，对国产企业也是缩小差距的关键窗口，尽管目前全球存储产能格局仍呈现高度集中的状态，但中长期看，随着国内存储企业的技术迭代，全球存储市场被巨头垄断的格局可能被打破，逐渐走向更加充分竞争的产业态势。

明年市场“乐观态度”

盘点近十年来存储行业的核心周期表现，都在于存储芯片周期性易受到供需平衡和技术变革影响，在大约每3～4年的时间里进入到自身的轮替周期。

在2012～2015年，受移动互联网普及、智能手机渗透率提升及4G网络换机潮推动，手机销量与单机存储容量双双增长，带动存储芯片需求上升。 在2016～2019年，互联网云厂商加大资本开支，叠加DDR4技术迭和手机游戏需求爆发，推动服务器需求快速增长，带动了对内存带宽与容量的需求。 2020年到2023年，居家办公带来的PC、平板、服务器需求上升，5G也推动终端存储容量增长，受产能限制影响，2021年存储价格持续上涨至2022年。 

在经历了2022～2023年的下行期后，2024年底存储市场快速回暖，进入到2025年，存储芯片价格的上涨已持续超过半年，进入四季度，存储芯片市场涨价潮反而呈现加速态势。

国泰君安证券在10月发布的研报中指出，存储行业已进入新一轮上行周期，随着大模型训练和推理对内存容量的需求激增，HBM和DDR5内存的紧缺将进一步传导至整个存储产业链。

在国际原厂控制产能干预下，这轮涨价潮对国内模组厂商来说，不急于接单，严格控制出货节奏，囤货、存货无疑是应对涨价、确保盈利的主要影响点。

从A股上市公司来看，江波龙、佰维存储和德明利存货位居前列。其中，江波龙上半年存货额高达82.33亿元；德明利存货47.01亿元；佰维存储存货46.15亿元。

此外，也有公司将价格传导至产业链下游。营收97%都来自分销的“中间商”香农芯创（300475.SZ）表示，上游采购价格上涨，分销给下游的价格也会上涨，存储的市场波动对公司毛利变化影响不大。

那么，这轮由AI引发的存储涨价超级周期，还能持续多久？对此，行业内的头部玩家表示乐观。

SK海力士CEO郭鲁正近日在一场活动上公开表示，“对明年存储器半导体市场持乐观态度”。

全球第二大存储模组厂商威刚（ADATA）董事长陈立白亦直接表态认为，2025年第四季度才是起点，明年产业荣景可期。

多名知名存储分析师也预测，DRAM和NAND Flash市场目前均出现缺货现象，预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上涨。公开信息亦显示，三星、SK海力士等存储原厂正计划将2025年第四季度DRAM的合约价格上调15%到30%。